Сегодня устройства на основе флэш-памяти являются доминирующими в сфере съемных накопителей, однако новая технология, разработанная японскими учеными, позволит создавать еще более быстрые и компактные носители. Согласно информации, размещенной на сайте Nikkei Business Daily, исследователи Университета Kanazawa создали запоминающее устройство на основе фазовых переходов, скорость работы которого в тысячу раз выше аналогичных решений. При этом количество возможных циклов записи составляет 400 тыс.
Для решения проблемы увеличения скорости PRAM (Phase Change RAM) использовались элементы - сурьма, селен и теллур. По заявлениям ученых, подобная технология весьма перспективна, и PRAM накопители в будущем способны прийти на смену стандартным сегодня устройствам на основе флэш-памяти.
Тем не менее, о сроках выхода подобных изделий в продажу ученые пока говорить не торопятся, и в течение ближайших нескольких лет позиции чипов флэш-памяти будут оставаться непоколебимыми.
(c)hwp.ru
15.01.2006, 21:52
